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提供從器件研發到批量生產的全流程裝備解決方案
12寸立式高溫氧化退火爐
滿足12寸晶圓指標，用于在硅襯底上形成潔凈、致密的SiO2膜層；應用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作為隔離層、緩沖層、掩蔽層、犧牲層等使用。
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立式低溫退火爐
在惰性氣體保護下實施精準熱處理，消除晶圓界面晶格缺陷，優化材料電學特性，著提升器件可靠性與量產良率。
VCSEL濕氧爐
專為VCSEL器件開發濕氧氧化工藝，構建致密光學限制層與電學絕緣結構；同步兼容通用晶圓表面鈍化處理，滿足光電與半導體器件的雙重工藝需求。
立式高溫氧化退火爐
用于在硅襯底上形成潔凈、致密的SiO2膜層；應用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作為隔離層、緩沖層、掩蔽層、犧牲層等使用。
立式LPCVD
采用低壓化學氣相沉積技術，在基片表面生長氮化硅、摻雜多晶硅等功能薄膜，常應用于半導體、光電子、MEMS、太陽能電池等產品領域。
SiC高溫激活爐
面向碳化硅功率器件定制，通過超高溫退火修復離子注入晶格損傷并激活摻雜雜質，優化車規級器件的電學性能。
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地址：長沙市望城經濟技術開發區普瑞西路858號
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