12寸立式高溫氧化退火爐
產品概述
滿足12寸晶圓指標，用于在硅襯底上形成潔凈、致密的SiO2膜層；應用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作為隔離層、緩沖層、掩蔽層、犧牲層等使用。
產品特點
高潔凈度腔體環境：采用專業材料與設計，保障氧化膜制備過程的純凈度。
大產能連續作業能力：支持批量晶圓處理，適配集成電路等領域的規模化生產。
高穩定性工藝輸出：設備運行可靠，確保氧化膜性能均勻一致。
技術指標
1、硅片尺寸：12寸；
2、裝片量：≥125片/舟；
3、恒溫區長度：≥850mm；
4、溫度均勻性：±0.5℃；
5、膜厚均勻性（WIW/WTW/RTR）：≤2%
應用場景
適用材料：12 英寸及以下晶圓。
適用工藝：高溫氧化工藝（900℃-1100℃），用于制備氧化膜（如離子注入阻擋層、絕緣柵材料）。
適用領域：集成電路制造、器件保護層制備。
產品類別
工業版
關鍵詞
半導體裝備
